
بخشی از متن:
بخشی از مقدمه:
اطلاعات همانند خونی است که در کالبد سازمان جریان مییابد و به آن حیات میبخشد، اطلاعات میتواند فرایند تصمیمگیری را در مورد ساختار، تکنولوژی و نوآوری تغذیه نماید، و همچنین اطلاعات همانند یک رگ حیاتی است که سازمان را به عرضه کنندگان مواد اولیه و مشتریان متصل میسازد، توسعه فنآوری اطلاعات مانند کامپیوترها و وسایل ارتباط الکترونیکی ماهیت بسیاری از کارهای دفتری را دگرگون کردهاند، شبکههای کار در خانه و خودکار شدن، امکان محدود کردن بعضی بخشها و کاهش تعداد کارکنان سازمان را فراهم آوردهاند. از این پدیدهها (فنآوری اطلاعات) ممکن است چنین استنباط شود که سازمانهای بزرگ کوچکتر میشوند و گرایش بسوی انواع انعطافپذیرتر و کوچکتر سازمان نیرومندتر میشود.
فهرست مطالب:
قسمت اول
فنآوری اطلاعات (IT)
مقدمه
تکنولوژی (فنآوری)
پژوهش وود وارد
نوع طبقهبندی نکاتی از قبیل
تولید تک محصولی و دستههای کوچک
تولید انبوه و دستههای بزرگ
فرایند تولید مستمر
پژوهش، درک پیوو و گروه آستن
مطالعات جیمز تامپسون
فنآوری پیوسته مستمر
فنآوری واسطهای
فنآوری متمرکز (فشرده)
تعریف فنآوری اطلاعات
تاریخچه فنآوری اطلاعات
الف) رایانههای نسل اول
ب) رایانه نسل دوم
پ) رایانههای نسل سوم
ج) رایانههای نسل چهارم
مولفههای فنآوری اطلاعات
معرفی چند نمونه از فنآوریهای اطلاعاتی
پست صدا
پاسخگویی تلفنی
اعلام پیام
پست الکترونیک
نظامهای کنفرانس رایانهای
تابلو اعلانات الکترونیکی
کنفرانس از راه دور به صورت سمعی و بصری
شبکههای مجتمع
اینترانت
منابع حاصل از اینترانت
کاربرد فنآوری اطلاعات در سازمانها
کاربرد عملیاتی
کاربرد اطلاعاتی
ناخشنودی از فنآوری اطلاعات در سازمان
خشنودی از فنآوری اطلاعات در سازمان
بیمارستان کینگستون
سیستم اطلاعاتچیست؟
سیستمهای اطلاعاتی در سازمان
سیستم اطلاعات مدیریت(MIS)
سیستم پشتیبانی تصمیمگیری (DSS)
سیستمهای پشتیبانی تصمیمگیری با بازده قوی
گزارش دهی
برنامه تحلیل کوتاه مدت
مولدهای سیستم پشتیبانی تصمیمگیری
خصوصیات سیستمهای پشتیبانی تصمیمگیری
عوامل مهم در موفقیت سیستم پشتیبانی تصمیمگیری
معماری سیستم پشتیبانی تصمیمگیری
سیستم اطلاعاتی مدیران عالی (ESS)
سیستم اتوماسیون اداری (OAS)
سیستم اطلاعاتی عملیاتی TPS
طراحی زمان واقعی(on - line)
طراحی برنامهای یا دستهای (Bath)
سیستمهای کارهای دانشبر KWS
سیستم اطلاعات مدیریت منابع انسانی
مزایای فنآوری اطلاعات
محدودیتهای فنآوری اطلاعات
قسمت دوم
سازمان و ساختار سازمانی
مقدمه: «چرایی مطالعه سازمان»
سازمان
نگاهی به تعاریف سازمان
سازمان از نظر «Pfiffner & sherwood»
نهاد اجتماعی
فلسفه وجودی هر سازمان به خاطر تامین هدف خاص است
سیستمی با ساختار آگاهانه
مرزهای مشخص
تعریف ساختار سازمانی
سازماندهی (Organizing)
مبانی سازماندهی
1- سازماندهی بر مبنای وظیفه یا هدف
2- سازماندهی مبتنی بر نوع تولید یا عملیات (محصول)
3- سازمان بر مبنای منطقه عملیاتی (جغرافیایی)
4- سازماندهی بر مبنای زمان
5- سازماندهی بر مبنای ارباب رجوع (مشتری)
6- سازمان مبتنی بر بازار
نقاط قوت و ضعف
خلاصه و جمعبندی از معرفی چند ساختار متداول سازمانی
الگوهای جدید ساخت سازمانی
1- سازمان ماتریسی یا خزانهای (Matrix organization)
نقاط قوت و ضعف ساختار ماتریس
الف) نقاط قوت
ب) نقاط ضعف
2- سازماندهی بر مبنای پروژه
3- ساختار سازمانی، ماژولار (پیمانهای یا پارندی)
4- سازماندهی بر مبنای ساخت آزاد یا ادهوکراسی
برخی از ویژگیهای مهم ادهوکراسی
معایب ادهوکراسی
ابعاد طرح سازمان
ابعاد ساختاری
رسمیت
فنون رسمی سازی
گزینش
انتظارات از نقش
قوانین، رویهها و خط مشیها
پیچیدگی
تفکیک افقی
تخصصگرایی
تفکیک عمودی
تفکیک فضایی
تمرکز
ارتباط تمرکز، پیچیدگی و رسمیت
تمرکز و رسمیت
نسبتهای پرسنلی
ابعاد محتوایی
اندازه
تکنولوژی
محیط
رابطه محیط و ساختار
استراتژی
فرهنگ سازمانی
فرهنگ چه میکند؟
قسمت سوم
پیشینه تحقیق
تحقیقات خارج از کشور
بررسی و پژوهش اسمیت
بررسی و پژوهش ویگاند
تحقیق فیفرولبلباسی
بررسی و پژوهش برن
تحقیقات تریست و بمفورد
تحقیقات انجام شده در ایران
خلاصه و نتیجه گیری از فصل دوم
فصل دوم شامل سه قسمت بود
قسمت چهارم
ساختار و تشکیلات شرکت سهامی بیمه ایران ، خلاصهای از وضعیت عمومی مجتمعها و شعب بیمهای شرکت سهامی بیمه ایران در شهرتهران
بیمه چیست؟
نگاهی به بیمه ایران
ساختار تشکیلاتی بیمه ایران
معرفی مجتمعها و شعب بیمهای شرکت سهامی بیمه ایران در شهر تهران
مکانیزاسیون بیمه ایران
الف) طراحی و بهبود سیستمهای موجود
ب) پشتیبانی فنی
ج) عملکرد شبکه
د: ایجاد سیستمهای جدید شامل

بخشی از متن:
چکیده:
در ساختارهای Si/SiGe/Si که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد می یابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل می گیرد اگر لایه های مجاور با ناخالصی های نوع p آلاییده شده باشند حفره های لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی می روند و تشکیل گاز حفره ای دوبعدی در میانگاه نزدیک لایه آلاییده می دهند اینگونه ساختارها را ساختار دورآلاییده می نامند .به دلیل جدایی فضایی بین حاملهای آزاد دوبعدی و ناخالصی های یونیده در ساختارهای دورآلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و درنتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی های یونیده کاهش و به تبع آن تحرک پذیری حاملهای آزاد دوبعدی افزایش می یابد .چگالی سطحی گاز حفره ای دوبعدی به پارامترهای ساختار مثلاً ضخامت لایه جداگر، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی، ضخامت لایه پوششی، و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دورآلاییده دریچه دار با تغییر ولتاِژ دریچه چگالی سطحی گاز حفره ای قابل کنترل می-باشد . این ساختارها در ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی مورد استفاده قرار می گیرند.
در این پایان نامه ابتدا به تشریح ساختار دورآلاییده Si/SiGe/Si می پردازیم و سپس مدلی نظری که بتواند ویژگیهای الکتریکی گاز حفره ای دوبعدی درون چاه کوانتومی ساختار p-Si/SiGe/Si و همچنین میزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگی آن به پارامترهای ساختار را توجیه کند ارائه می دهیم. در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si دریچه دار با دریچه Al/Ti/Si از این مدل نظری استفاده می کنیم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفره ای بر حسب ولتاژ دریچه توانسته ایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × 78/1 تا (m-2) 1015 × 63/4 ارزیابی کنیم.
فهرست مطالب:
چکیده
فصل اول: ساختارهای دورآلاییده
مقدمه
1-1 نیمه رسانا
1-2 نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم
1-3 جرم موثر
1-4 نیمه رسانای ذاتی
1-5 نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش
1-6 نیمه رساناهای Si و Ge
1-7 رشد بلور
1-7-1 رشد حجمی بلور
1-7-2 رشد رونشستی مواد
1-7-3 رونشستی فاز مایع
1-7-4 رونشستی فاز بخار
1-7-5 رونشستی پرتو مولکولی
1-8 ساختارهای ناهمگون
1-9 توزیع حالتهای انرژی الکترونها در چاه کوانتومی
1-10 انواع آلایش
1-10-1 آلایش کپه ای
1-10-2 آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی)
1-10-3 گاز الکترونی دوبعدی
1-10-4 گاز حفره¬ای دوبعدی
1- 11 ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده
1-11-1 انواع ساختارهای دورآلاییده به لحاظ ترتیب رشد لایه ها
1-11-2 انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی (n یا p)
1-11-3 انواع ساختار دور آلاییده دریچه دار
1-12 کاربرد ساختارهای دور آلاییده
1-12-1 JFET
1-12-2 MESFET
1-12-3 MESFET پیوندگاه ناهمگون
فصل دوم: اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی)
مقدمه
2-1 شرط ایده آل و حالتهای سطحی
2-2 لایه تهی
2-3 اثر شاتکی
2-4 مشخصه ارتفاع سد
2-4-1 تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد
2-4-2 اندازه گیری ارتفاع سد
2-4-3 اندازه گیری جریان- ولتاژ
2-4-4 اندازه گیری انرژی فعال سازی
2-4-5 اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت
2-4-6 تنظیم ارتفاع سد
2-4-7 کاهش سد
2-4-8 افزایش سد
2-5 اتصالات یکسوساز
2-6 سدهای شاتکی نمونه
فصل سوم: انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده
مقدمه
3-1 ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si
3-2 ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si
3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده
3-3-1 آلایش مدوله شده ایده¬آل
3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها
3-3-3 اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفره ای
3-4 روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها
3-4-1 تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها
3-4-2 تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها
3-4-3 دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده
3-5 ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا
3-6 انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا
3-7 تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی حفره ها
3-8 ملاحظات تابع موج
3-9 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه
3-10 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچه دار
فصل چهارم: نتایج محاسبات
مقدمه
4-1 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si
4-1-1 محاسبات نظری ns برحسب Ls
4-1-2 محاسبات نظری ns برحسب NA
4-1-3 محاسبات نظری ns برحسب nc
4-1-4 محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls
4-2 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچه دار Si/SiGe/Si
4-2-1 محاسبات نظری ns برحسب vg
4-2-2 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب مثبت
4-2-3 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب منفی
فصل پنجم: نتایج
5-1 مقایسه سد شاتکی با ساختار دورآلاییده دریچه دار p-Si/SiGe/Si
5-2 بررسی نمودارهای مربوط به چهار نمونه
پیوست
چکیده انگلیسی (Abstract)
منابع

بخشی از متن:
مقدمه:
مشکل جزئی مورد نظر با گذر زمان آلودگیهای پرتوهای راکتور هاست. در حذف این آلودگی در مراتب بالاتر یک فیلتر ترکیب لازم است. یک فیلتر شامل یک یا چند مواد اضافی است که در پرتو قرار میگیرد بنابراین AL و S با فیلتر F استفاده میشود تا پرتوی فیلتر شده حاصل شود که شامل نوترونها حدود 3/24 کیلوالکترون ولت خواهد بود، Ti و Co برای رسیدن به پرتوی فیلتر شده در 2 کیلو الکترون ولت است و S به Si لازم است تا پرتویی در Kev 55 بدست آید و کاهشی در شدت پرتوی فیلتر شده بطور قابل ملاحظه نشان داده میشود.
فهرست مطالب:
مقدمه
معیاراتی برای طرح فیلترها
فیلترها در رآکتورها
پیشرفت های بیشتر در فیلترها در رآکتور
کاربردهای پرتوهای رآکتور فیلتر بندی شده
ساختمان هسته ای
توسعه شناساگر
نفوذ به صفحات
اثر داپلر
پیمانه بندی و سنجش و توموگرافی
کاربردهای پزشکی زیستی